La Mram s'embarque en FD-SOI 28 nm
ARM, Cadence et Sondrel ont développé un circuit IoT combinant des coeurs Cortex-M33 et de la mémoire Mram sur le process FD-SOI 28 nm de Samsung.

ARM a profité du Samsung Foundry Forum qui se tient actuellement à Santa Clara pour présenter Musca-S1, un circuit test réalisé dans la technologie FD-SOI 28nm du sud-coréen et embarquant une mémoire Mram. Développé en collaboration avec Cadence et Sondrel, ce circuit vise les objets connectés à faible consommation. Il est basé sur des coeurs Cortex-M33, comme les précédents Musca-A1 et B1. Musca-S1 sera disponible à la fin de l'année, ainsi que la carte de développement qui l'accompagne.